Modèle de Produit

QM20TG-9B

Introduction

Module IGBT de Mitsubishi

Marque et Fabricant

Mitsubishi Electric Semiconductor

Caractéristiques

Haute impédance d'entrée, faible chute de tension à l'état passant, vitesse de commutation rapide, excellente performance en cycles thermiques.

Performance du Produit

Capacité de gestion des courants élevés, efficacité dans les opérations à haute fréquence, faibles pertes de puissance, robustesse élevée.

Spécifications Techniques

Tension Collecteur-Émetteur : Vces = 1200V, Courant de collecteur : Ic = 20A, Plage de température de jonction.

Dimensions, Forme et Conditionnement

Emballage de module, design compact, emballage industriel standard.

Qualité et Fiabilité

Performance constante, longue durée de vie opérationnelle, robuste dans des environnements difficiles.

Avantages du Produit

Économies d'énergie, densité de puissance élevée, réduction de la complexité du système.

Compétitivité du Produit

Très compétitif sur le marché de l'électronique de puissance, optimisé pour des applications haute performance.

Compatibilité

Compatible avec les pilotes de porte standards, adapté à divers designs d'inverseurs.

Certification et Conformité aux Normes

Conforme aux normes de l'industrie pertinentes, conforme RoHS.

Durée de Vie et Durabilité

Conçu pour une longue durée de service, matériaux respectueux de l'environnement.

Champs d'Application Réels

Inverseurs d'énergie renouvelable, entraînements de moteurs, alimentations électriques, véhicules électriques.

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